A1P50S65M2 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN, 50 A, 1.95 V, 208 W, 650 V, Module
1 variante disponible.
Otros nombres: Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT x3; 208W.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN, 50 A, 1.95 V, 208 W, 650 V, Module
Fabricado por: Stmicroelectronics
Polaridad de Transistor: NPN Corriente de Colector DC: 50A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 100 |
| Precio unitario | 23,144€ |
| Stock (packs) | 40 |
| Entrega | 7 días |