A2C35S12M3-F | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.95 V, 250 W, 1.2 kV, Module
1 variante disponible.
Otros nombres: IGBT2430.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.95 V, 250 W, 1.2 kV, Module
Fabricado por: Stmicroelectronics
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 50 |
| Precio unitario | 36,618€ |
| Stock (packs) | 14 |
| Entrega | 7 días |