A2C35S12M3 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.95 V, 250 W, 1.2 kV, Module

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Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 35 A, 1.95 V, 250 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 35A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Mejor precio
Unidades/pack 50
Precio unitario 36,045€
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IGBT2432

Fabricado por: St

CIB 1200V 35A ACEPACK2

Tags: Semiconductors, Transistors, IGBTs & Modules.

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Unidades/pack 14
Precio unitario 48,325€
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