AFGB40T65SQDN | Transistor Único IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263, 3 Pines
1 variante disponible.
Otros nombres: AEC-Q101 IGBT, AFGB40T65SQDN, N-Canal, 80 A, 650 V, D2PAK, 3-Pines 1 Simple, Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; D2PAK; Uso: rama automotriz.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Transistor Único IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263, 3 Pines
Fabricado por: On Semiconductor
Corriente de Colector DC: 80A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.6V Disipación de Potencia Pd: 238W
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores IGBT Simples.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 1.000 |
| Precio unitario | 1,639€ |
| Stock (packs) | 6 |
| Entrega | 7 días |