AFV10700HR5 | Transistor FET de RF, LDMOS, 105 VDC, 526 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, NI-780H

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Transistor FET de RF, LDMOS, 105 VDC, 526 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, NI-780H

Fabricado por: Nxp

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 105VDC Disipación de Potencia Pd: 526W Frecuencia de Funcionamiento Mín.: 1.03GHz

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores FET de RF.

Entrega y precio
Unidades/pack 5
Precio unitario 350,170€
Stock (packs) 50
Entrega 7 días