AS4C16M16D1-5BIN | Memoria DRAM; 16Mx32bit; 2,5V; 200MHz; TSOP66; -40÷85°C; paralelo

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Memoria DRAM; 16Mx32bit; 2,5V; 200MHz; TSOP66; -40÷85°C; paralelo

Tags: Semiconductores, Circuitos integrados, Memorias - circuitos integrados, Memorias DRAM - circuitos integrados.

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