AS4C16M16SA-6BIN | Memoria DRAM; 16Mx16bit; 3÷3,6V; 166MHz; 6ns; TFBGA54; -40÷85°C

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Memoria DRAM; 16Mx16bit; 3÷3,6V; 166MHz; 6ns; TFBGA54; -40÷85°C

Fabricado por: ALLIANCE MEMORY

Tags: Semiconductores, Circuitos integrados, Memorias - circuitos integrados, Memorias DRAM - circuitos integrados.

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ICDRAM1732

SDRAM 256Mb 16Mx16 166MHz BGA

Tags: Semiconductors, Digital ICs, DRAM.

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