AS4C1M16S-6TCNR | Memoria DRAM; 1Mx16bit; 3,3V; 166MHz; 5,4ns; TSOP50; 0÷70°C

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Memoria DRAM; 1Mx16bit; 3,3V; 166MHz; 5,4ns; TSOP50; 0÷70°C

Fabricado por: ALLIANCE MEMORY

Tags: Semiconductores, Circuitos integrados, Memorias - circuitos integrados, Memorias DRAM - circuitos integrados.

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