AS4C8M16SA-6TINTR | Memoria DRAM; 2Mx16bitx4; 3,3V; 166MHz; 5ns; TSOP54; -40÷85°C

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Memoria DRAM; 2Mx16bitx4; 3,3V; 166MHz; 5ns; TSOP54; -40÷85°C

Fabricado por: ALLIANCE MEMORY

Tags: Semiconductores, Circuitos integrados, Memorias - circuitos integrados, Memorias DRAM - circuitos integrados.

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