AUIRF2903ZS | MOSFET, AUIRF2903ZS, N-Canal, 235 A, 30 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263)

1 variante disponible.

Otros nombres: MOSFET, AUIRF2903ZS, N-Canal-Canal, 235 A, 30 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Simple Si.

MOSFET, AUIRF2903ZS, N-Canal, 235 A, 30 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263)

Fabricado por: Infineon

Datasheet

La amplia cartera de dispositivos de canal N sencillos de Infineon con certificación AECQ-101 para automoción sirve para una gran variedad de requisitos de alimentación en muchas aplicaciones. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.