AUIRF2907Z | Transistor MOSFET, Canal N, 170 A, 75 V, 0.0035 ohm, 10 V, 2 V

2 variantes disponibles.

Otros nombres: MOSFET, AUIRF2907Z, N-Canal-Canal, 75 A, 75 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si.

Transistor MOSFET, Canal N, 170 A, 75 V, 0.0035 ohm, 10 V, 2 V

Fabricado por: Infineon

Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 170A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 75V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

MOSFET, AUIRF2907Z, N-Canal, 75 A, 75 V, 3-Pin, TO-220AB

Fabricado por: Infineon

Datasheet

La amplia cartera de dispositivos de canal N sencillos de Infineon con certificación AECQ-101 para automoción sirve para una gran variedad de requisitos de alimentación en muchas aplicaciones. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.