1 variante disponible.
Diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetida mejorado. Estas características se combinan para que este diseño sea un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones
Tags: Semiconductores
, Semiconductores Discretos
, MOSFET
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Entrega y precio | |
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Unidades/pack | 500 |
Precio unitario | 2,520€ |
Entrega | 7 días |