AUIRLU2905 | Transistor MOSFET, Canal N, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 1 V

2 variantes disponibles.

Transistor MOSFET, Canal N, 42 A, 55 V, 0.027 ohm, 10 V, 1 V

Fabricado por: Infineon

Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 42A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

MOSFET, AUIRLU2905, N-Canal, 42 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252)

Fabricado por: Infineon

Datasheet

La amplia cartera de dispositivos de canal N sencillos de Infineon con certificación AECQ-101 para automoción sirve para una gran variedad de requisitos de alimentación en muchas aplicaciones. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.