BC856BDW1T1G | Array de Transistores Bipolares, Propósito General, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 290 hFE, SOT-363
1 variante disponible.
Otros nombres: Array de Transistores Bipolares, Propósito General, PNP Doble, -65 V, 380 mW, -100 mA, 220 hFE, Transistor bipolar, BC856BDW1T1G, PNP 100 mA 65 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado, Transistor, BC856BDW1T1G, PNP 100 (Continuous) mA, 200 (Peak) mA -65 V Dual SOT-363, 6 pines, 100 MHz.
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Array de Transistores Bipolares, Propósito General, PNP, 65 V, 380 mW, 100 mA, 290 hFE, SOT-363
Fabricado por: On Semiconductor
Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 65V Disipación de Potencia Pd: 380mW
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores Bipolares, Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT).
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 9.000 |
| Precio unitario | 0,023€ |
| Stock (packs) | 9000 |
| Entrega | 7 días |