BD159G | Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 350 V, 20 W, 500 mA, 30 hFE

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Transistor de Unión Bipolar Único, NPN, 350 V, 20 W, 500 mA, 30 hFE

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 350V Disipación de Potencia Pd: 20W

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores Bipolares, Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT).

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