BFG410W,115 | Transistor de RF - Bipolar, NPN, 4.5 V, 22 GHz, 54 mW, 12 mA, 80 hFE

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Transistor de RF - Bipolar, NPN, 4.5 V, 22 GHz, 54 mW, 12 mA, 80 hFE

Fabricado por: Nxp

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 4.5V Frecuencia de Transición ft: 22GHz

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores Bipolares, Transistores Bipolares de RF.

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