BFP193E6327HTSA1 | Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE

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Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 12V Frecuencia de Transición ft: 8GHz

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores Bipolares, Transistores Bipolares de RF.

Entrega y precio
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Precio unitario 0,074€
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