BFP620H7764XTSA1 | Transistor, BFP620H7764XTSA1, NPN 80 mA 2,3 V HFE:110 SOT-343, 4 pines,

2 variantes disponibles.

Transistor, BFP620H7764XTSA1, NPN 80 mA 2,3 V HFE:110 SOT-343, 4 pines,

Fabricado por: Infineon

Datasheet

Una gama de transistores de RF bipolares NPN de banda ancha y ruido muy bajo de Infineon. Estos dispositivos bipolares de heteroestructura utilizan la tecnología de material de carbono de silicio-germanio (SiGe:C) de Infineon y son especialmente adecuados para utilizar en aplicaciones móviles en las que el bajo consumo de potencia es un requisito clave. Con frecuencias de transición típicas de hasta 65 GHz, estos dispositivos ofrecen una alta ganancia de potencia en frecuencias de hasta 10 GHz cuando se utilizan en aplicaciones de amplificador. Los transistores incluyen circuitos internos para protección contra ESD y protección de potencia de entrada de RF excesiva.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, Transistores bipolares y BJT.

Transistor de RF - Bipolar, NPN, 2.3 V, 65 GHz, 185 mW, 80 mA, 110 hFE

Fabricado por: Infineon

Datasheet

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 2.3V Frecuencia de Transición ft: 65GHz

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores Bipolares, Transistores Bipolares de RF.