BFP640FH6327XTSA1 | Transistor de RF - Bipolar, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE

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Transistor de RF - Bipolar, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 4.1V Frecuencia de Transición ft: 42GHz

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores Bipolares, Transistores Bipolares de RF.

Entrega y precio
Unidades/pack 5.000
Precio unitario 0,121€
Stock (packs) 70
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