BFP843H6327XTSA1 | Transistor de RF - Bipolar, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, 150 hFE

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Transistor de RF - Bipolar, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, 150 hFE

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 2.6V Disipación de Potencia Pd: 125mW

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores Bipolares, Transistores Bipolares de RF.

Entrega y precio
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Precio unitario 0,128€
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