BFR182E6327HTSA1 | Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, 100 hFE

1 variante disponible.

Otros nombres: Transistor, BFR182E6327HTSA1, NPN 35 mA 12 V SOT-23, 3 pines, 8 GHz, Simple.

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Transistor de RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, 100 hFE

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 12V Frecuencia de Transición ft: 8GHz

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores Bipolares, Transistores Bipolares de RF.

Entrega y precio
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Precio unitario 0,078€
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