BS2101F-E2 | Controlador MOSFET, Lado Alto y Lado Bajo, 10V a 18V, Retardo 220ns, SOP-8

2 variantes disponibles.

Otros nombres: Driver de puerta MOSFET BS2101F-E2, SOP 8 pines.

Controlador MOSFET, Lado Alto y Lado Bajo, 10V a 18V, Retardo 220ns, SOP-8

Fabricado por: Rohm

Datasheet

Configuración del Controlador: Lado Alto y Lado Bajo Tensión de Alimentación Mín.: 10V Tensión de Alimentación Máx.: 18V

Tags: Semiconductores - Circuitos Integrados, Circuitos de Gestión de Potencia - PMIC, Controladores, Controladores MOSFET.

Driver MOSFET de potencia, BS2101F-E2, Dual canales SOP, 8 pines No Inversión Controlador del lado alto y bajo

Fabricado por: Rohm

Datasheet

The BS2101F is a monolithic high and low side gate drive IC, which can drive high speed power MOSFET and IGBT driver with bootstrap operation. The floating channel can be used to driven an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600V. The logic inputs can be used 3.3V and 5.0V. The Under Voltage Lockout (UVLO) circuit prevents malfunction when VCC and VBS are lower than the specified threshold voltage.

Tags: Semiconductores, Circuitos Integrados de Control de Alimentación, Controladores de MOSFET.