BSC046N02KSGAUMA1 | Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 20 V, 0.0035 ohm, 4.5 V, 950 mV

2 variantes disponibles.

Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 20 V, 0.0035 ohm, 4.5 V, 950 mV

Fabricado por: Infineon

Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

MOSFET, BSC046N02KSGAUMA1, N-Canal, 80 A, 20 V, 8-Pin, TDSON

Fabricado por: Infineon

Datasheet

La familia de canal N OptiMOS™2 de Infineon ofrece la resistencia en funcionamiento más baja dentro de su grupo de tensión. La serie Power MOSFET se puede utilizar en muchas aplicaciones, entre las que se incluyen proyectos de alta frecuencia de telecomunicaciones, comunicación de datos, energía solar, unidades de baja tensión y fuentes de alimentación para servidores. La familia de productos OptiMOS 2 abarca tensiones de 20 V en adelante y ofrece una selección de diferentes tipos de encapsulado.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.