BSM50GB120DLC | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 115 A, 2.6 V, 460 W, 1.2 kV, Module

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Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 115 A, 2.6 V, 460 W, 1.2 kV, Module

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 115A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2.6V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Entrega y precio
Unidades/pack 30
Precio unitario 57,492€
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