BSP149H6327XTSA1 | MOSFET, BSP149H6327XTSA1, N-Canal-Canal, 660 mA, 200 V, Reducción, 3 + Tab-Pin, SOT-223 SIPMOS Simple Si

2 variantes disponibles.

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MOSFET, BSP149H6327XTSA1, N-Canal-Canal, 660 mA, 200 V, Reducción, 3 + Tab-Pin, SOT-223 SIPMOS Simple Si

Fabricado por: Infineon

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.

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Transistor MOSFET, Canal N, 660 mA, 200 V, 1 ohm, 10 V, -1.4 V

Fabricado por: Infineon
Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 660mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

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Precio unitario 0,426€
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