BSZ086P03NS3EGATMA1 | MOSFET, BSZ086P03NS3EGATMA1, P-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS P Simple Si

2 variantes disponibles.

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MOSFET, BSZ086P03NS3EGATMA1, P-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS P Simple Si

Fabricado por: Infineon

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.

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Transistor MOSFET, Canal P, -40 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -2.5 V

Fabricado por: Infineon
Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

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