BSZ086P03NS3GATMA1 | Transistor MOSFET, Resistencias de Polarización Integradas (BRT), Canal P, -40 A, -30 V, 0.0065 ohm

1 variante disponible.

Otros nombres: MOSFET, BSZ086P03NS3GATMA1, P-Canal, 40 A, 30 V, 8-Pin, TSDSON OptiMOS P Simple Si.

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Transistor MOSFET, Resistencias de Polarización Integradas (BRT), Canal P, -40 A, -30 V, 0.0065 ohm

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

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