BSZ180P03NS3EGATMA1 | Transistor MOSFET, Canal P, -39.6 A, -30 V, 0.0135 ohm, -10 V, -2.5 V

1 variante disponible.

Otros nombres: MOSFET, BSZ180P03NS3EGATMA1, P-Canal, 39 A, 30 V, 8-Pin, PG-TDSON.

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Transistor MOSFET, Canal P, -39.6 A, -30 V, 0.0135 ohm, -10 V, -2.5 V

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -39.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

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