1 variante disponible.
          
        Fabricado por: Mitsubishi Electric
Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Colector DC: 200A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.2kV
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.
      
    
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 1 000 | 
| Precio unitario | 151,068€ | 
| Entrega | >30 días |