DE150-501N04A | Transistor FET de RF, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150

1 variante disponible.

Transistor FET de RF, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150

Fabricado por: Ixys Rf

Datasheet

Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V Corriente de Drenaje Continua Id: 4.5A Disipación de Potencia Pd: 200W

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores FET de RF.