DMG3414U | Transistor MOSFET, Modo de Enriquecimiento, Canal N, 4.2 A, 20 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 500 mV

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Transistor MOSFET, Modo de Enriquecimiento, Canal N, 4.2 A, 20 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 500 mV

Fabricado por: Diodes Inc.

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 4.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

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