DMMT5551S | Array de Transistores Bipolares, Doble, NPN, 160 V, 300 mW, 200 mA, 80 hFE, SOT-26

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Array de Transistores Bipolares, Doble, NPN, 160 V, 300 mW, 200 mA, 80 hFE, SOT-26

Fabricado por: Diodes Inc.

Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 160V Disipación de Potencia Pd: 300mW

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores Bipolares, Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT).

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