1 variante disponible.
Fabricado por: Diodes Inc.
Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 160V Disipación de Potencia Pd: 300mW
Tags: Semiconductores - Discretos
, Transistores
, Transistores Bipolares
, Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT)
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Entrega y precio | |
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Unidades/pack | 5.000 |
Precio unitario | 0,092€ |
Stock (packs) | 2704 |
Entrega | 7 días |