DMN4800LSSL | Transistor MOSFET, Modo de Enriquecimiento, Canal N, 6.7 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 V

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Transistor MOSFET, Modo de Enriquecimiento, Canal N, 6.7 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 V

Fabricado por: Diodes Inc.

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

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