F3L300R07PE4PBOSA1 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 280 A, 1.5 V, 20 mW, 650 V, Module

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Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 280 A, 1.5 V, 20 mW, 650 V, Module

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 280A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.5V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Entrega y precio
Unidades/pack 10
Precio unitario 169,750€
Entrega >30 días