F4150R12KS4BOSA1 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 180 A, 3.2 V, 960 W, 1.2 kV, Module

2 variantes disponibles.

Otros nombres: Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT x2; 960W.

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 180 A, 3.2 V, 960 W, 1.2 kV, Module

Fabricado por: Infineon

Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 180A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Módulo IGBT, F4150R12KS4BOSA1, Puente, 180 A, 1.200 V, N-Canal, AG-ECONO3-4

Fabricado por: Infineon

Datasheet

La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz. Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, Módulos IGBT.