F430R06W1E3 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 30 A, 1.55 V, 165 W, 600 V, Module

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Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 30 A, 1.55 V, 165 W, 600 V, Module

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 30A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.55V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Entrega y precio
Unidades/pack 300
Precio unitario 17,373€
Entrega >30 días