F475R06W1E3BOMA1 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.45 V, 275 W, 600 V, Module
1 variante disponible.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 100 |
| Precio unitario | 28,644€ |
| Stock (packs) | 72 |
| Entrega | 7 días |