FCD4N60TM | MOSFET, FCD4N60TM, N-Canal, 3,9 A, 600 V, 3-Pin, DPAK (TO-252)

1 variante disponible.

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V.

MOSFET, FCD4N60TM, N-Canal, 3,9 A, 600 V, 3-Pin, DPAK (TO-252)

Fabricado por: On Semiconductor

Datasheet

Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad.Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga avanzada, los diseñadores han logrado soluciones de alto rendimiento más eficaces y rentables que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.