FD150R12RT4 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV

2 variantes disponibles.

⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Mejor precio
Unidades/pack 30
Precio unitario 56,016€
Entrega >30 días

IGBT3019

Fabricado por: Infineon

IGBT-MODUL 1200V 150A 34MM-1

Tags: Semiconductors, High Power Modules, High Power Modules.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 10
Precio unitario 104,013€
Stock (packs)
Entrega 30 días