FD200R12KE3HOSA1 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Zanja/Límite de Campo, Canal N, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 1.2 kV
1 variante disponible.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 295A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 10 |
| Precio unitario | 82,246€ |
| Stock (packs) | 3 |
| Entrega | 7 días |