FDB047N10 | MOSFET, FDB047N10, N-Canal, 164 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263)

2 variantes disponibles.

MOSFET, FDB047N10, N-Canal, 164 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263)

Fabricado por: On Semiconductor

Datasheet

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.

Transistor MOSFET, Canal N, 120 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 3.5 V

Fabricado por: On Semiconductor

Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 120A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.