FDB12N50TM | MOSFET, FDB12N50TM, N-Canal, 11,5 A, 500 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263)
2 variantes disponibles.
MOSFET, FDB12N50TM, N-Canal, 11,5 A, 500 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263)
Fabricado por: On Semiconductor
El MOSFET UniFET™ forma parte de la familia MOSFET de alta tensión de Fairchild Semiconductor. Dispone de la resistencia en funcionamiento más pequeña de los MOSFET planar, y también proporciona un rendimiento de conmutación excelente y una mayor resistencia a la energía de avalanchas. Además, el diodo ESD de fuente de compuerta interna permite al MOSFET UniFET-II™ soportar una tensión HBM de más de 2.000 V.Los MOSFET UniFET™ son adecuados para aplicaciones de convertidor de alimentación conmutada, como la corrección del factor de potencia (PFC), display de pantalla plana (FPD), alimentación de televisores, ATX (Tecnología avanzada extendida) y balastos de lámparas electrónicos.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.
| Mejor precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 800 |
| Precio unitario | 0,800€ |
| Entrega | 30 días |
MOSFET, FDB12N50TM, N-Canal, 11,5 A, 500 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263)
Fabricado por: On Semiconductor
El MOSFET UniFET™ forma parte de la familia MOSFET de alta tensión de Fairchild Semiconductor. Dispone de la resistencia en funcionamiento más pequeña de los MOSFET planar, y también proporciona un rendimiento de conmutación excelente y una mayor resistencia a la energía de avalanchas. Además, el diodo ESD de fuente de compuerta interna permite al MOSFET UniFET-II™ soportar una tensión HBM de más de 2.000 V.Los MOSFET UniFET™ son adecuados para aplicaciones de convertidor de alimentación conmutada, como la corrección del factor de potencia (PFC), display de pantalla plana (FPD), alimentación de televisores, ATX (Tecnología avanzada extendida) y balastos de lámparas electrónicos.
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.
| Mejor fecha de entrega | |
|---|---|
| Unidades/pack | 500 |
| Precio unitario | 1,043€ |
| Entrega | 7 días |