FDG311N | Transistor MOSFET, Canal N, 1.9 A, 20 V, 0.082 ohm, 4.5 V, 900 mV
1 variante disponible.
Otros nombres: MOSFET, FDG311N, N-Canal, 1,9 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-70).
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Transistor MOSFET, Canal N, 1.9 A, 20 V, 0.082 ohm, 4.5 V, 900 mV
Fabricado por: On Semiconductor
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 5 000 |
| Precio unitario | 0,117€ |
| Stock (packs) | 3000 |
| Entrega | 7 días |