FDMD8530 | MOSFET Doble, Power Trench, Canal N Doble, 201 A, 30 V, 770 µohm, 10 V, 1.5 V

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MOSFET Doble, Power Trench, Canal N Doble, 201 A, 30 V, 770 µohm, 10 V, 1.5 V

Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 201A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Dobles.

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