FDS6675 | MOSFET, FDS6675, P-Canal, 11 A, 30 V, 8-Pin, SOIC

2 variantes disponibles.

MOSFET, FDS6675, P-Canal, 11 A, 30 V, 8-Pin, SOIC

Fabricado por: On Semiconductor

Datasheet

Los MOSFET PowerTrench® son interruptores de alimentación optimizados que ofrecen un aumento de la eficacia del sistema y densidad de potencia. Combinan una carga de compuerta pequeña (QG), una carga de recuperación inversa pequeña (Qrr) y un diodo de cuerpo de recuperación inversa suave, lo que contribuye a una conmutación rápida de rectificación síncrona en fuentes de alimentación de ac/dc.Los MOSFET PowerTrench® emplean una estructura de compuerta protegida que proporciona equilibrio de carga. Al utilizar esta tecnología avanzada, el FOM (factor de mérito) de estos dispositivos es significativamente menor que los de las generaciones anteriores.El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar los circuitos amortiguadores o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.

Transistor MOSFET, Canal P, 11 A, -30 V, 0.014 ohm, -10 V, -1.7 V

Fabricado por: On Semiconductor

Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 11A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.