FDS6680AS | MOSFET, FDS6680AS, N-Canal, 11,5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC

1 variante disponible.

Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 11.5 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.5 V.

MOSFET, FDS6680AS, N-Canal, 11,5 A, 30 V, 8-Pin, SOIC

Fabricado por: On Semiconductor

Datasheet

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.