FF100R12RT4HOSA1 | Módulo IGBT, FF100R12RT4HOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, AG-34MM-1 Serie

2 variantes disponibles.

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Módulo IGBT, FF100R12RT4HOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, AG-34MM-1 Serie

Fabricado por: Infineon

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.

Mejor precio
Unidades/pack 10
Precio unitario 42,150€
Entrega >30 días

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 555 W, 1.2 kV, Module

Fabricado por: Infineon
Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 50
Precio unitario 42,641€
Stock (packs) 18
Entrega 7 días