FF150R12KS4HOSA1 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, Module

1 variante disponible.

Otros nombres: Módulo IGBT, FF150R12KS4HOSA1, N-Canal, 225 A, 1.200 V, Módulo 62MM, 7-Pines, 1MHZ Serie.

⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 1.2 kV, Module

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 225A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Entrega y precio
Unidades/pack 50
Precio unitario 80,714€
Entrega >30 días