FF200R06KE3HOSA1 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 260 A, 1.45 V, 680 W, 600 V, Module

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Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 260 A, 1.45 V, 680 W, 600 V, Module

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 260A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.

Entrega y precio
Unidades/pack 50
Precio unitario 73,497€
Stock (packs) 30
Entrega 7 días