FF200R12KE3HOSA1 | Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module
1 variante disponible.
Otros nombres: Módulo IGBT, FF200R12KE3HOSA1, N-Canal, 295 A, 1.200 V, Módulo 62MM, 7-Pines, 1MHZ Serie.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 295A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Arrays y Módulos IGBT.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 10 |
| Precio unitario | 87,882€ |
| Stock (packs) | 32 |
| Entrega | 7 días |